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Avaq Semiconductor
Veristrong Industrial Centre, 34-36 Huotan Au Bei Wan Street, Sha Tin, New Territories, Hong Kong
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得克萨斯州仪器CSD 185441F5是用于地表上应用的N-Channe动力MOSFET,具有低抗力、超低门充电(Qg)和排水到源能力(Qgd),适合高频切换应用,其小足迹为1. 53毫米x0. 77毫米,低声波高度为0. 36毫米,可以进行紧凑设计。此外,CSD 18541F5包括一个综合的ESD保护二极管,以防止电静电排放造成损害,该产品无铅、无卤素和符合RoHS,适合环境友好设计。
特征特征
根据产品资料,CSD 18541F5的特点是:
低抗力
{\fn黑体\fs2\bord1\shad0\3aHBE\4aH0\fscx67\fscy6\2cHFFF\3cH80}哈洛Qg QGd {\fs12\bord0\3cH000\4cH0FF\b0}
超小型足迹(1. 53毫米0. 77毫米)
低调(0. 36毫米高度)
ESD综合保护二极管
不含铅和卤素
RoHS符合要求
这些特点表明,CSD18541F5是一种高性能、低功率N频道的MOSFET,适合便携式电子产品、汽车系统和工业设备等各种应用。
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